致制（c）离子电导率和晶格参数与氯含量的关系。

电子束光刻技术是一种高分辨的图形技术，富经以前曾用于制造沟道长度为10nm的有机薄膜晶体管。然而，致制在这些之前的报告中，TFTs是在硅衬底上制作的，掺杂的硅作为衬底上所有TFTs的全局栅电极，这对集成电路的实现没有帮助。

富经沟道长度和栅极到触点交叠的大小在很大程度上取决于图案化过程。下排：致制TFT的传输特性（沟道长度300nm，500nm，700nm和900nm，沟道宽度50um，栅极到触点的重叠100nm）。图4：富经逆变器和动态性能©2022TheAuthors基于两个p沟道DPh-DNTTTFTs的偏载单极逆变器的静态和动态特性，通道长度为200nm，栅极到触点的重叠100nm。

致制这是迄今为止报道的纳米级有机晶体管最大的on/off电流比。p沟道晶体管的on/off比可以达到4×109，富经亚阈值波动可达70mV/devade。

致制数据概览图1.器件结构©2022TheAuthors有机半导体和接触功能化的TFT横截面和分子结构示意图。

图5.n沟道ActivInkN1100TFTs的传输和输出特性©2022TheAuthors沟道长度200nm，富经400nm，600nm和800nm，沟道宽度50um，栅极到触点的重叠150nm。可之后要想行走的更加持久，致制只能再次依托品牌的力量，做出产品的突出性，才能稍领先一步。

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